Ero NMOS n ja PMOS n välillä

NMOS vs. PMOS

FET (Field Effect Transistor) on jänniteohjattu laite, jossa sen virrankantokykyä muutetaan soveltamalla elektronista kenttää. Yleisesti käytetty tyyppi FET on metallioksidipuolijohde-FET (MOSFET). MOSFETia käytetään laajasti integroiduissa piireissä ja nopeissa kytkentäsovelluksissa. MOSFET toimii indusoimalla johtava kanava kahden kontaktin, jota kutsutaan lähteeksi ja viemäriksi, välille kytkemällä jännite oksidieristetyllä hilaelektrodilla. MOSFET-tyyppejä on kahta päätyyppiä nimeltään nMOSFET (yleisesti tunnetaan nimellä NMOS) ja pMOSFET (tunnetaan yleisesti nimellä PMOS) kanavan läpi virtaavien kantoaaltojen tyypistä riippuen.

Mikä on NMOS?

Kuten aikaisemmin mainittiin, NMOS (nMOSFET) on eräs MOSFET-tyyppi. NMOS-transistori koostuu n-tyyppisestä lähteestä ja viemäristä sekä p-tyyppisestä substraatista. Kun hilaan kohdistetaan jännitettä, rungon (p-tyypin substraatti) aukot ajavat pois portista. Tämä mahdollistaa n-tyyppisen kanavan muodostamisen lähteen ja viemärin väliin ja elektronit kuljettavat virtaa lähteestä viemäriin indusoidun n-tyyppisen kanavan kautta. Loogisilla porteilla ja muilla NMOS: lla toteutettujen digitaalisten laitteiden sanotaan olevan NMOS-logiikkaa. NMOS-järjestelmässä on kolme toimintatapaa, joita kutsutaan rajaksi, triodeksi ja kylläisyydeksi. NMOS-logiikkaa on helppo suunnitella ja valmistaa. Mutta NMOS-logiikkaporteilla varustetut piirit hajottavat staattisen tehon, kun piiri on tyhjäkäynnillä, koska tasavirta virtaa logiikkaportin läpi, kun lähtö on alhainen.

Mikä on PMOS?

Kuten aiemmin mainittiin, PMOS (pMOSFET) on eräs MOSFET-tyyppi. PMOS-transistori koostuu p-tyyppisestä lähteestä ja viemäristä sekä n-tyyppisestä substraatista. Kun lähteen ja portin väliin kohdistetaan positiivinen jännite (negatiivinen jännite portin ja lähteen välillä), lähteen ja viemärin väliin muodostuu p-tyyppinen kanava vastakkaisilla polaarisuuksilla. Reiät johtavat virtaa lähteestä viemäriin indusoidun p-tyyppisen kanavan kautta. Hilan korkea jännite saa PMOS: n käyttämättä, kun taas portin matala jännite johtaa sen johtamiseen. Loogisilla porteilla ja muilla PMOS: lla toteutettujen digitaalisten laitteiden sanotaan olevan PMOS-logiikkaa. PMOS-tekniikka on edullinen ja sillä on hyvä meluherkkyys.

Mikä ero on NMOS: n ja PMOS: n välillä??

NMOS on rakennettu n-tyyppisellä lähteellä ja viemärillä sekä p-tyyppisellä substraatilla, kun taas PMOS on rakennettu p-tyyppisellä lähteellä ja viemärillä sekä n-tyyppisellä substraatilla. NMOS: ssa kantoaallot ovat elektroneja, kun taas PMOS: ssa kantajat ovat reikiä. Kun porttiin kohdistetaan korkea jännite, NMOS johtaa, kun taas PMOS ei. Lisäksi, kun porttiin kohdistetaan matala jännite, NMOS ei johda ja PMOS johtaa. NMOS: n katsotaan olevan nopeampaa kuin PMOS, koska NMOS: ssa olevat elektronit, jotka ovat elektronia, kulkevat kaksi kertaa nopeammin kuin reikät, jotka ovat PMOS: n kantajia. Mutta PMOS-laitteet ovat herkempiä melulle kuin NMOS-laitteet. Lisäksi NMOS-IC: t olisivat pienempiä kuin PMOS-IC: t (jotka antavat saman toiminnallisuuden), koska NMOS voi tarjota puolet PMOS: n tuottamasta impedanssista (jolla on sama geometria ja käyttöolosuhteet).