Ero GTO n ja SCR n välillä

GTO vs. SCR

Sekä SCR (silicon Controlled Rectifier) ​​että GTO (Gate Turn-off Thyristor) ovat kahden tyyppisiä tyristoreita, jotka on valmistettu neljästä puolijohdekerroksesta. Molemmilla laitteilla on kolme liitäntää, nimeltään anodi, katodi ja portti, jossa portilla olevaa pulssia käytetään laitteen läpi virtaavan virran ohjaamiseen.

SCR (piipohjainen tasasuuntaaja)

SCR on tyristori ja sitä käytetään laajasti nykyisissä oikaisusovelluksissa. SCR on valmistettu neljästä vuorottelevasta puolijohdekerroksesta (P-N-P-N: n muodossa), joten se koostuu kolmesta PN-liitoksesta. Analyysissä tätä pidetään tiukasti kytkettynä BJT-parina (yksi PNP ja toinen NPN-kokoonpanossa). Äärisimpiä P- ja N-tyyppisiä puolijohdekerroksia kutsutaan anodeiksi ja katodeiksi. Sisäiseen P-tyypin puolijohdekerrokseen kytketty elektrodi tunnetaan nimellä 'gate'.

Käytössä SCR toimii johtavana, kun pulssille annetaan portti. Se toimii joko päällä tai pois päältä. Kun portti laukaistaan ​​pulssilla, SCR siirtyy 'päälle' -tilaan ja jatkaa johtamista, kunnes myötävirta tulee alle kynnyksen, jota kutsutaan 'pitovirraksi'.

SCR on teholaite ja useimmiten sitä käytetään sovelluksissa, joissa on korkea virta ja jännite. Käytetyin SCR-sovellus on vaihtovirtojen ohjaaminen (tasasuuntaaminen).

GTO (portin sammuttava tyristori)

GTO on myös tyyppinen tyristori, joka on valmistettu neljästä P- ja N-tyyppisestä puolijohdekerroksesta, mutta laiterakenne on vähän erilainen kuin SCR. GTO: n kolmea päätelaitetta kutsutaan myös 'anodiksi', 'katodi' ja 'portiksi'.

Käytössä GTO toimii johtavana, kun portille annetaan pulssi. Kun portti laukaistaan ​​positiivisella pulssilla, GTO siirtyy johtamismoodiin kuin SCR.

SCR: n ominaisuuksien lisäksi GTO: n 'pois-tilaa' on myös hallittavissa negatiivisen pulssin kautta. SCR: ssä 'pois' -toiminto ei tapahdu ennen kuin lähtövirta on pienempi kuin kynnysarvo.

GTO: t ovat myös voimalaitteita ja niitä käytetään enimmäkseen vaihtovirtasovelluksissa.