Ero BJT n ja IGBT n välillä

BJT vs. IGBT

BJT (Bipolar Junction Transistor) ja IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ovat kahden tyyppisiä transistoreita, joita käytetään virtojen ohjaamiseen. Molemmilla laitteilla on PN-liitännät ja ne ovat rakenteeltaan erilaisia. Vaikka molemmat ovat transistoreita, niillä on merkittäviä eroja ominaisuuksissa.

BJT (kaksinapainen risteystransistori)

BJT on transistorityyppi, joka koostuu kahdesta PN-liitoksesta (liitos, joka on tehty kytkemällä p-tyypin puolijohde ja n-tyyppinen puolijohde). Nämä kaksi liitosta muodostetaan yhdistämällä kolme puolijohdekappaletta järjestyksessä P-N-P tai N-P-N. Siksi on saatavana kahta tyyppiä BJT: tä, joita kutsutaan PNP: ksi ja NPN: ksi.

Kolme elektrodia on kytketty näihin kolmeen puolijohdeosaan ja keskijohtoa kutsutaan ”pohjaksi”. Kaksi muuta risteystä ovat 'säteilevä' ja 'keräilijä'.

BJT: ssä suuri keräilijä (I_C) virtaa ohjataan pienellä kantaemitterivirralla (I_B), ja tätä ominaisuutta hyödynnetään vahvistimien tai kytkinten suunnittelussa. Siksi sitä voidaan pitää virransäästölaitteena. BJT: tä käytetään enimmäkseen vahvistinpiireissä.

IGBT (eristetty portin bipolaaritransistori)

IGBT on puolijohdelaite, jossa on kolme liitäntää, jotka tunnetaan nimellä "Emitter", "Collector" ja "Gate". Se on transistorityyppi, joka pystyy käsittelemään suurempaa määrää tehoa ja jolla on suurempi kytkentänopeus, joten se on erittäin tehokas. IGBT on tuotu markkinoille 1980-luvulla.

IGBT: llä on sekä MOSFET: n että bipolaarisen risteystransistorin (BJT) yhdistelmät. Se on porttiohjattu kuten MOSFET ja sen jänniteominaisuudet ovat kuten BJT. Siksi sillä on sekä korkean virrankäsittelykyvyn että helpon hallinnan etuja. IGBT-moduulit (koostuvat useista laitteista) käsittelevät kilowatteja tehoa.